Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BWSamsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 To - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
| Général | Caractéristiques | Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T. |
|---|---|---|
Poids | 9 g | |
Largeur | 22 mm | |
Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) | |
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne | |
Hauteur | 2.3 mm | |
Profondeur | 80 mm | |
Cryptage matériel | Oui | |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits | |
Format | M.2 2280 | |
Type de mémoire flash NAND | Cellule multiniveaux (MLC) | |
Capacité | 4 To | |
| Logiciels & Configuration requise | Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
| Alimentation | Consommation électrique | 5.5 Watt (moyenne) ¦ 55 mW (inactif) |
| Expansion et connectivité | Interfaces | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
Baie compatible | M.2 2280 | |
| Fiabilité | Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
| Caractéristiques d’environnement | Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g |
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 0.5 ms half-sine | |
Température minimale de fonctionnement | 0 °C | |
Température maximale de fonctionnement | 70 °C | |
| Performances | Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1600000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 1550000 IOPS | |
Débit de transfert interne | 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture) | |
| Divers | Normes de conformité | IEEE 1667 |