Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 To - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
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Le Samsung 990 EVO Plus est un puissant disque dur interne conçu pour améliorer les performances de stockage avec une capacité de 2 To. Doté de la technologie V-NAND TLC de Samsung, ce disque garantit un transfert de données à grande vitesse avec un débit interne de 7250 MBps et une vitesse d'écriture de 6300 MBps, ce qui permet un fonctionnement transparent pour les applications exigeantes et la gestion de fichiers volumineux. Prenant en charge les interfaces PCI Express 4.0 et 5.0, il répond à diverses exigences système tout en offrant vitesse et fiabilité.
Conçu avec des fonctionnalités avancées telles que la technologie Intelligent TurboWrite et l'algorithme Auto Garbage Collection, le Samsung 990 EVO Plus conserve son efficacité et sa durabilité même en cas de charge de travail élevée. Sa capacité de résistance aux chocs et aux vibrations jusqu'à 1500 g et sa plage de température de -40°C à 85°C le rendent adapté aux environnements grand public et professionnels. Ce disque SSD garantit un accès rapide aux données et offre un cryptage matériel pour une sécurité accrue, ce qui en fait un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système.
Conçu avec des fonctionnalités avancées telles que la technologie Intelligent TurboWrite et l'algorithme Auto Garbage Collection, le Samsung 990 EVO Plus conserve son efficacité et sa durabilité même en cas de charge de travail élevée. Sa capacité de résistance aux chocs et aux vibrations jusqu'à 1500 g et sa plage de température de -40°C à 85°C le rendent adapté aux environnements grand public et professionnels. Ce disque SSD garantit un accès rapide aux données et offre un cryptage matériel pour une sécurité accrue, ce qui en fait un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système.
| Général | Poids | 9 g |
|---|---|---|
Format | M.2 2280 | |
Hauteur | 2.38 mm | |
Profondeur | 80.15 mm | |
Capacité | 2 To | |
Caractéristiques | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 | |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits | |
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne | |
Cryptage matériel | Oui | |
Interface | PCIe 5.0 x2 (NVMe) | |
Type de mémoire flash NAND | 3 bits par cellule (TLC) | |
Largeur | 22.15 mm | |
| Caractéristiques d’environnement | Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 20-2000 Hz |
Température maximale de fonctionnement | 70 °C | |
Température minimale de fonctionnement | 0 °C | |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0,5 ms | |
| Expansion et connectivité | Baie compatible | M.2 2280 |
| Performances | Débit de transfert interne | 7250 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture) |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1000000 IOPS | |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 1350000 IOPS | |
| Divers | Composition du châssis | Revêtement nickel |
| Alimentation | Consommation électrique | 4.6 Watt (lecture) ¦ 4.2 Watt (écriture) ¦ 60 mW (en attente) ¦ 5 mW (veille) |
| Logiciels & Configuration requise | Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
| Garantie du fabricant | Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans/1200 TBW |
| Fiabilité | Fiabilité MTBF | 1.500.000 heures |
Aucun accessoire
Le Samsung 990 EVO Plus est un puissant disque dur interne conçu pour améliorer les performances de stockage avec une capacité de 2 To. Doté de la technologie V-NAND TLC de Samsung, ce disque garantit un transfert de données à grande vitesse avec un débit interne de 7250 MBps et une vitesse d'écriture de 6300 MBps, ce qui permet un fonctionnement transparent pour les applications exigeantes et la gestion de fichiers volumineux. Prenant en charge les interfaces PCI Express 4.0 et 5.0, il répond à diverses exigences système tout en offrant vitesse et fiabilité.
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Fonctionnalités
- Transfert de données efficace
Avec des débits de données internes atteignant 7250 MBps, les données peuvent être transférées rapidement, ce qui permet des temps de démarrage et des vitesses de chargement d'applications plus rapides. - Durabilité élevée
Avec une résistance aux chocs allant jusqu'à 1 500 g et une tolérance aux vibrations, ce disque est suffisamment robuste pour résister aux contraintes physiques, ce qui garantit un fonctionnement fiable dans divers environnements. - Gestion avancée des performances
Prend en charge les fonctions TRIM, Auto Garbage Collection et Device Sleep pour optimiser les performances et prolonger la durée de vie du disque, ce qui le rend adapté aussi bien à une utilisation quotidienne qu'à des applications exigeantes. - Fonctions de sécurité renforcées
Équipé du cryptage matériel AES 256 bits et du cryptage TCG Opal 2.0, le disque offre des mesures de sécurité robustes pour protéger les données sensibles contre les accès non autorisés.
Points clés
- Capacité de 2 To pour un stockage étendu
- Débits de données internes de 7250 MBps pour des performances plus rapides
- Technologie TurboWrite intelligente pour une gestion efficace des données
- Tolérance thermique robuste avec une température de fonctionnement maximale de 70°C
- Cryptage matériel AES 256 bits pour une sécurité accrue
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